Меню

2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD

Название бренда: FUJI Electric
Место происхождения: ЯПОНИЯ
минимальный заказ: 1 шт.
Цена: $22-45 / piece
Подробная информация о продукте
Voltage: 1200 В
Current: 1400А
Configuration: Двойной
Voltage - Isolation: Стандарт
Package / Case: Модуль
Series: 2MBI1400VXB
Mounting Type: Шасси
Description: Модуль IGBT 1200 В 1400 А для ЧРП
Manufacturer Part Number: 2МБИ1400ВХБ-120П-50
Type: БТИЗ-МОДУЛЬ
Mfg Date Code: Стандарт
Package: Модуль, картонная упаковка
Condition: Оригинальный новый и подержанный
Warranty: Новое: 6 месяцев / Б/у: 3 месяца
MOQ: 1 шт.
Stock: Доступный
Estimated Delivery Time: 7-15 дней
Shipping By: DHL\UPS\Fedex\EMS\Почта Гонконга
Payment Way: Paypal\TT\Western Union\торговая гарантия
Size: 142 мм х 62 мм х 30 мм
Weight: 380G
Описание продукта
Подробные спецификации и характеристики
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Бренд
ФУДЗИ Электрик
Название продукта
БТИЗ-модуль
Приложение
Для ЧРП
Состояние
Новые и подержанные
Напряжение
1200В
Текущий
1400А
Гарантия
Новое: 6 месяцев / Б/у: 3 месяца
минимальный заказ
1 шт.
Запас
Доступный
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Сценарии применения

Модуль IGBT для VFD

Мы продаем модули IGBT таких крупных брендов, как Fuji Electric, Infineon и Semikron. Свяжитесь с нами, если у вас есть какие-либо потребности.
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
О нас
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Yongsen Intelligent Technology LTD. КО.
Базируется в Гуандуне, имеет более чем 10-летний опыт работы в отрасли, интегрируя исследования и разработки, производство
и техническое обслуживание.

Занимается производством инверторов собственных брендов, инверторов всемирно известных брендов и
полный спектр аксессуаров.

Основные преимущества:
1. Полный комплект аксессуаров, от основных модулей до небольших компонентов;​
2. Минимальный заказ от 1 единицы, достаточный запас и быстрый ответ;​
3. Опытная команда технического обслуживания, способная эффективно устранять неисправности оборудования;​
4.Оказывает полную цепочку услуг (от консультации по выбору до послепродажной технической поддержки).

2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Случаи клиентов
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Сертификаты
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Почему выбирают нас
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Упаковка и логистика
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Часто задаваемые вопросы
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Категории продуктов
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Серия Данфосс FC101/111
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Серия Danfoss FC280
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Серия Danfoss FC302/301/202/201
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Карта водителя питания
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Инверторный модуль IGBT
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Электрический модуль IGBT 1200V 1400 мощный транзистор MOSFET для VFD
Выпрямительный модуль
Вы можете также полюбить
Сообщение для быстрого ответа