2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD

Marca: FUJI Electric
Local de Origem: JAPÃO
Quantidade mínima: 1 peça
Preço: $22-45 / piece
Detalhes do produto
Voltage: 1200 V
Current: 1400A
Configuration: Dual
Voltage - Isolation: Padrão
Package / Case: Módulo
Series: 2MBI1400VXB
Mounting Type: Montagem do chassi
Description: Módulo IGBT 1200V 1400A para VFD
Manufacturer Part Number: 2MBI1400VXB-120P-50
Type: MÓDULO IGBT
Mfg Date Code: Padrão
Package: Módulo, pacote cartonado
Condition: Originais Novos e Usados
Warranty: Novo: 6 meses / Usado: 3 meses
MOQ: 1 peça
Stock: Disponível
Estimated Delivery Time: 7 a 15 dias
Shipping By: DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Payment Way: Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Size: 142 mm x 62 mm x 30 mm
Weight: 380g
Descrição do produto
Especificações e características pormenorizadas
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Marca
FUJI Electric
Nome do produto
Módulo IGBT
Aplicação
Para VFD
Condição
Novos e usados
Voltagem
1200 V
Corrente
1400A
Garantia
Novo: 6 meses / Usado: 3 meses
MOQ
1 peça
Resíduos
Disponível
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Cenários de aplicação

Módulo IGBT para VFD

Nós vendemos módulos IGBT de grandes marcas como Fuji Electric, Infineon e Semikron. Contacte-nos se tiver alguma necessidade.
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Sobre nós
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Yongsen Intelligent Technology LTD., CO.
Com sede em Guangdong, com mais de 10 anos de experiência na indústria, integrando P&D, produção
e manutenção.

Emprega inversores de marca própria, inversores de marca de renome internacional e
Acessórios de gama completa.

Vantagens principais:
1- Acessórios completos, que abrangem os módulos principais até aos componentes pequenos;
2.MOQ tão baixo como 1 unidade, estoque suficiente e resposta rápida;
3.Equipe de manutenção experiente, capaz de resolver de forma eficiente falhas de equipamento;
4.Fornece serviços de cadeia completa (desde a consulta de selecção até ao apoio técnico pós-venda).

2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Casos de clientes
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Certificados
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Por que escolher-nos
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Embalagem e logística
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Perguntas frequentes
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Categorias de produtos
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Danfoss série FC101 /111
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Danfoss FC280 Serie
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Danfoss série FC302 /301/202/201
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Cartão de controlador de potência
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Módulo de inversor IGBT
2MBI1400VXB-120P-50 FUJI Electric IGBT Module 1200V 1400 um transistor MOSFET de potência para VFD
Módulo rectificador
Você pode igualmente gostar
Mensagem para resposta rápida